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簡(jiǎn)要描述：前置放大制冷一體型碲鎘汞光電探測(cè)器是一種HgCdTe（碲鎘汞，MCT）材料制備的高靈敏度光電探測(cè)器，這種材料對(duì)2~12um的中紅外光譜波段光波敏感。該探測(cè)器可以是直流或交流耦合輸出。探測(cè)器與前置放大電路，半導(dǎo)體熱電冷卻器（TEC）控制器高度集成，通過(guò)反饋電路將探測(cè)器元件的溫度控制在負(fù)四十?dāng)z氏度，從而將熱噪聲對(duì)輸出信號(hào)的影響小化。
產(chǎn)品型號(hào)：HPPD-M-B廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-09-23訪 問(wèn) 量：4489詳細(xì)介紹
【產(chǎn)品簡(jiǎn)介】
前置放大制冷一體型碲鎘汞光電探測(cè)器一種HgCdTe（碲鎘汞，MCT）材料制備的高靈敏度光電探測(cè)器，這種材料對(duì)2~12um的中紅外光譜波段光波敏感。
該探測(cè)器可以是直流或交流耦合輸出。前置放大制冷一體型碲鎘汞光電探測(cè)器與前置放大電路，半導(dǎo)體熱電冷卻器（TEC）控制器高度集成，通過(guò)反饋電路將探測(cè)器元件的溫度控制在負(fù)四十?dāng)z氏度，從而將熱噪聲對(duì)輸出信號(hào)的影響減小。探測(cè)器外殼采用全鋁合金材料，即可起到屏蔽環(huán)境電磁干擾，也具備良好的散熱性能。
【產(chǎn)品特點(diǎn)】
l半導(dǎo)體制冷型碲鎘汞紅外光電探測(cè)器；
l對(duì)2~12 um的中紅外光譜波段光波敏感；
l內(nèi)部一體化集成低噪聲前置運(yùn)放+TEC控制單元；
lTEC熱電冷卻穩(wěn)定 -80℃-40℃，極大地降低了熱噪聲；
l高性價(jià)比
【產(chǎn)品參數(shù)】
探測(cè)器材料 | 碲鎘汞（MCT），HgCdTe |
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 | 2~12 um |
峰值響應(yīng)波長(zhǎng)(λp) | 3um, 4um, 5um, 6um, 7um, 8um, 9um, 10um,11um,12um(可選) |
峰值響應(yīng)度 | Typ. 10 ~ 100 V/W |
光敏面積 | Typ. 1mm*1mm |
信號(hào)帶寬 | DC ~ 2MHz |
輸出電壓 | ±5 V（Hi-Z 負(fù)載）；±2.5V（50Ω 負(fù)載） |
跨阻增益 | 15000V/A（Hi-Z 負(fù)載）；7500V/A（50Ω 負(fù)載） |
供電電壓 | ±5VDC（探測(cè)器模塊）；220VAC（電源模塊） |
信號(hào)輸出接口 | SMA |
工作溫度范圍 | 10℃ 至 50℃ |
尺寸 | 60mm*60mm*64 mm |
重量 | 0.2 kg |
HPPD - X - X - XX - XX - XX
① ② ③ ④ ⑤
①=A | 常溫(Ambient)探測(cè)器，不集成 TEC 驅(qū)動(dòng) |
①=M | 多級(jí)(Multi-stage)制冷探測(cè)器，集成 TEC 驅(qū)動(dòng)（默認(rèn)） |
②=A | 直流耦合輸出 |
②=B | 交流耦合輸出（默認(rèn)） |
③=02、03… | 探測(cè)器峰值響應(yīng)波長(zhǎng)；02 表示峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為 2 μm，03表示峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為 3 μm… |
④=05、10… | 感光面積 05 表示感光面積為0.5*0.5 mm2，10 表示感光面積為 1*1 mm2… |
⑤=01、02… | 前置放大器增益；01 表示增益為 1 kV/A，02 表示增益為2 kV/A…（默認(rèn) 15） |
例如：HPPD-M-B-08-10-10
該型號(hào)為含 TEC 溫控器的多級(jí)制冷 MCT，輸出交流耦合，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為8 μm，探測(cè)器芯片感光面為 1.0 mm2，前置運(yùn)放跨阻增益為 10 kV/A。
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